服务热线:027-84859126

一种基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件

  • 项目编号:ZR20181306
  • 发布日期:2019-12-10
  • 项目类别:
  • 项目所在地:
项目简介

本实用新型涉及一种基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件。本实用新型的1S1R器件从下至上依次包括底电极层、氧化锆阻变层、氧化铌转换层和顶电极层;所述底电极层的厚度为100~300nm,所述阻变层的厚度为15~30nm,所述转换层的厚度为30~80nm,所述顶电极层的厚度为50~300nm。本实用新型采用氧化锆作为阻变层,氧化铌选通管作为转换层,制得的基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件具有较大的非线性值,能够有效减小漏电流、可实现十字交叉阵列的高密度集成,因此非常具有发展潜力和应用价值。

联系方式
027-84859126